電子後方散乱回折（EBSD）
Electron BackScattered Diffraction Pattern

1. 特徴

走査型電子顕微鏡（SEM）の検出器の一つであり、試料の表面（50nm程度）の結晶方位をサブミクロンのスケールでマッピングすることができます。

2. 原理、概念図

1. 1〜30kVで加速された電子を細く絞り、結晶性の試料上を走査した際に発生する反射電子の回折パターン（EBSDパターン）をCCDカメラで検出します。
2. 試料の各点毎のEBSDパターンを解析し、結晶方位のマッピングとして記録します。

3. 性能と仕様

型式	TSL社製 OIM
空間分解能	10nm以上（条件による）
測定範囲	500nm〜5mm程度

4. 試料の形状、サイズ

固体、外径12.5mmφ以内、高さ10mm以内

5. 分析依頼時の留意点

真空中で電子を照射します。その条件下で試料が安定である必要があります。

6. 測定データ例

7. 適用例

1. 金属、半導体などの結晶同定
2. 金属、半導体などの結晶方位、粒界の解析