電気自動車の高効率化には、SiC/GaNをはじめとするパワー半導体の性能向上と、界面欠陥・微細構造の高度な制御が不可欠です。しかし実際の開発・量産ラインでは、結晶欠陥、界面反応、微量不純物、熱ストレス起因の劣化など、ナノスケールでの“見えない課題”が歩留まりや信頼性を左右します。
当社は収差補正STEMを中心とした最先端の解析技術により、原子レベルで構造起因の問題を可視化し、材料設計からプロセス改善まで強力に支援します。
分析項目
| 分析項目 | 使用機器・手法 | 分析事例 |
|---|---|---|
| 表面形状 | SPM、SEM | SPMによるSiウエハの表面粗さ測定 |
| 表面組成・化学状態 | XPS、SEM | EDS制限視野マッピング測定 |
| デバイスの表面汚染の分析 | ||
| 多層構造 | AES、XRD | |
| 面内回折法による表面構造解析（1） | ||
| 面内回折法による表面構造解析（2） | ||
| 多孔質low-k膜ポアサイズ分布解析 | ||
| 断面構造・組成分析 | Cs(球面収差係数)補正STEM | |
| Cs補正STEMによる各種材料観察 | ||
| 断面層構造 | TEM、AES、RAMAN | EELSスペクトルラインプロファイルによる酸化膜解析 |
| EELSによる状態分析 | ||
| オージェ及びレーザラマンによるセラミックスの構造評価 | ||
| 断面の結晶構造 | XRD | 多層薄膜の深さ制御In-Plane回折測定 |
| FIB-SIM | SIM像によるチャネリングコントラスト | |
| 欠陥解析 | TEM、FIB-SIM | SIM像を用いたLSIの不良箇所の特定 |